半导体设备的制作方法

摘要

公开了一种功率半导体设备的制作方法。

主权项

1、一种功率半导体设备的制作方法，该方法包括：在半导体主体的表面上覆盖掩膜体；去除所述掩膜体的一部分以定义延伸至所述半导体主体的开口；从所述开口的底部去除半导体以定义多个栅极沟槽和设置在该栅极沟槽周围的终止沟槽，所述栅极沟槽被台面结构相互隔开；去除所述掩膜体；氧化所述栅极沟槽的侧壁；沉积栅电极材料；蚀刻所述栅电极材料以使栅电极留在所述栅极沟槽中；注入沟道掺杂物以定义邻近所述栅极沟槽的体区；在所述体区上形成源极掩膜；通过所述源极掩膜注入源极掺杂物以形成源极注入区；在所述半导体主体上沉积低密度氧化物；沉积接触掩膜；通过所述接触掩膜蚀刻所述低密度氧化物；在所述半导体主体的顶部沉积金属层；在所述金属层的顶部形成前面金属掩膜；以及蚀刻所述金属层以形成至少一个源极接点和栅极流道。