发明名称 |
带有三栅极发射体阴极控制电路的平板显示器及其制作工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种带有三栅极发射体阴极控制电路的平板显示器及其制作工艺,包括由阴极面板、阳极面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔、阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层、在阴极面板上制备有碳纳米管阴极,为每一个像素点下对应的碳纳米管阴极制备有用于调整碳纳米管场致发射电子的使得整体碳纳米管阴极能够均匀、稳定可靠、高效率发射电子的三栅极发射体阴极控制电路结构,具有制作过程成本低廉、成品率高、结构简单、稳定可靠的优点。 |
申请公布号 |
CN100527330C |
申请公布日期 |
2009.08.12 |
申请号 |
CN200510048413.8 |
申请日期 |
2005.10.18 |
申请人 |
中原工学院 |
发明人 |
李玉魁 |
分类号 |
H01J31/12(2006.01)I;H01J29/02(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J31/12(2006.01)I |
代理机构 |
郑州科维专利代理有限公司 |
代理人 |
刘卫东 |
主权项 |
1、一种带有三栅极发射体阴极控制电路的平板显示器,包括由阴极面板[1]、阳极面板[12]以及四周玻璃围框[16]所构成的密封真空腔、阳极面板[12]上有光刻的锡铟氧化物薄膜层[13]以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层[15]、在阴极面板[1]上制备的碳纳米管阴极[11],其特征在于:为每一个像素点下对应的碳纳米管阴极制备有用于调整碳纳米管场致发射电子的使得整体碳纳米管阴极能够均匀、稳定可靠、高效率发射电子的三栅极发射体阴极控制电路结构,所述的三栅极发射体阴极控制电路结构从下到上依次包括阴极面板[1]、底部金属层[2]、掺杂硅层[3]、二氧化硅绝缘隔离层[4]、漏极[5]、控制栅极[6]、横向电阻控制电极[7]、纵向电阻控制电极[8]、源极[9]、二氧化硅保护层[10]部分。 |
地址 |
451191河南省郑州市新郑双湖经济开发区淮河路1号 |