精确定位阱阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及到带有精确定位阱阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺，带有精确定位阱阴极阵列结构的平板显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极面板上制作有精确定位阱阴极阵列结构，能够精确的确定碳纳米管阴极的生长位置，用于控制碳纳米管阴极的定位、长度和数量，在利用直接生长法碳纳米管阴极良好场致发射特性的基础上，和控制栅极高度集成到一起，能够有效减小二者之间的距离，避免短路现象的发生，有利于进一步提高平板显示器件的显示分辨率，简化器件的制作工艺，降低器件的制作成本，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

主权项

1、一种带有精确定位阱阴极阵列结构的平板显示器，包括由阴极面板[15]、阳极面板[11]和四周玻璃围框[16]所构成的密封真空腔；在阳极面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层[12]上面的荧光粉层[14]；支撑墙结构[17]以及消气剂附属元件[18]，其特征在于：在阴极面板上[15]制作有精确定位阱阴极阵列结构；精确定位阱阴极阵列结构包括衬底材料硅片[1]、在衬底材料硅片的下表面蒸镀上的一层阴极导电层[2]、在阴极导电层[2]上覆盖有阴极覆盖层[3]，在衬底材料硅片上设置有一级定位阱[4]、二级定位阱[5]，一级定位阱位于硅片的上表面，呈现“U”字型结构，向硅片内部凹陷；二级定位阱位于一级定位阱的底侧，并继续向硅片的内部凹陷，形状呈现“U”字型结构，其开口小于一级定位阱的开口，其深度也要浅于一级定位阱的深度；一级定位阱和二级定位阱的深度之和不能够超过硅片的厚度，在衬底材料硅片的上表面存在一个绝缘隔离层[6]，在绝缘隔离层[6]上存在一个栅极导电层[7]，在栅极导电层[7]上存在一个栅极覆盖层[8]，在二级定位阱中存在一个催化剂金属层[9]，在催化剂金属层[9]上制备有碳纳米管阴极[10]。