发明名称 |
薄膜晶体管、TFT阵列基板、液晶显示器及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管,包括:栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层(每一层都直接或间接形成在绝缘基板上),和形成在钝化层上的导电层。该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接。钝化层具有包括至少堆叠的第一子层和第二子层的多层结构,第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率。第一子层比第二子层更接近于基板设置。第二子层具有等于或小于导电层的厚度。在蚀刻工艺中,可以很好地控制钝化层和底层栅绝缘层的形状或结构,并且防止形成在钝化层上的导电层被分割开。 |
申请公布号 |
CN100527443C |
申请公布日期 |
2009.08.12 |
申请号 |
CN200610142087.1 |
申请日期 |
2006.10.08 |
申请人 |
NEC液晶技术株式会社 |
发明人 |
田中宏明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;陆锦华 |
主权项 |
1. 一种薄膜晶体管,包括:栅层、栅绝缘层、半导体层、漏层和钝化层,每一层都直接或间接形成在绝缘基板上;以及形成在钝化层上的导电层,该导电层通过至少穿过该钝化层的接触孔与栅层或漏层连接;其中钝化层具有至少包括堆叠的第一子层和第二子层的多层结构,该第一子层具有比第二子层低的蚀刻速率;第一子层比第二子层更接近于绝缘基板设置;以及第二子层具有等于或小于所述导电层的厚度。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |