桥栅结构的三极场致发射显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及一种带有桥栅结构的碳纳米管阴极的三极结构场致发射显示器及其制作工艺，显示器包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阴极面板上有印刷的碳纳米管阴极以及控制碳纳米管电子发射的桥栅结构控制栅极，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，阴极面板上制作有桥栅结构，用于控制碳纳米管阴极的电子发射，提高了碳纳米管发射电子的能力，改善了显示器件的场致发射性能，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。

主权项

1、一种具有桥栅结构的三极场致发射显示器，包括由阴极面板玻璃[1]、阳极面板玻璃[6]和玻璃围框[10]构成的密封真空腔，在阴极面板玻璃[1]上有印刷的碳纳米管阴极[5]，在阳极面板玻璃[6]上有光刻的锡铟氧化物薄膜层[7]以及制备在锡铟氧化物薄膜层[7]上面的荧光粉层[9]，其特征在于：在阴极面板上制有桥栅结构，用于控制碳纳米管阴极[5]的电子发射，桥栅结构的固定位置为安装固定在阴极面板上；所述的桥栅结构由阴极面板玻璃[1]、碳纳米管阴极导电条[2]、绝缘隔离层[3]、控制栅极导电条[4]构成，在绝缘隔离层[3]上制有控制栅极导电条[4]，控制栅极导电条[4]与碳纳米管阴极导电条[2]的走向相互垂直，在桥栅结构中的绝缘隔离层[3]上刻蚀有碳纳米管阴极孔，其中，碳纳米管阴极孔的中间部分完全刻蚀掉，暴露出底部的碳纳米管阴极导电条[2]，对碳纳米管阴极孔周围的外部部分进行浅刻蚀，碳纳米管阴极孔沿不进行刻蚀，远离碳纳米管阴极孔沿的部分进行刻蚀，越远离碳纳米管阴极孔的位置，刻蚀的程度越大，形成一个碳纳米管阴极孔孔沿高，向外四周呈坡度下降的锥形体。