具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有沟槽结构的半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一对侧壁钝化沟槽接触结构形成在衬底上，从而提供与次表面部件的电接触。掺杂区在这对侧壁钝化沟槽之间扩散，以便提供低电阻接触结构。

主权项

1、一种半导体器件，包括：具有主表面和待接触部件的衬底；在衬底中形成并从主表面延伸的第一沟槽，所述第一沟槽具有在第一沟槽的暴露表面上形成的第一阻挡层、和在第一阻挡层之上形成的第一导电材料，其中第一导电材料通过第一阻挡层中的开口接触所述待接触部件；以及在衬底中形成并从主表面延伸的第二沟槽，所述第二沟槽具有在第二沟槽的暴露表面上形成的第二阻挡层、和在第二阻挡层之上形成的第二导电材料，其中第二导电材料通过第二阻挡层中的开口接触所述衬底。