| 主权项 |
1.一种晶片间接合方法，至少包括：提供一第一晶片及一第二晶片；形成至少一导电柱到该第一晶片上；形成至少一导电接合材料到该导电柱上；以及进行一接合制程，藉由该导电接合材料使得该导电柱与该第二晶片电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中在提供该第二晶片之后，还形成另一导电接合材料到该第二晶片上，接下来便将形成本该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二晶片电性连接。3.如申请专利范围第2项所述之晶片间接合方法，其中该另一导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。4.如申请专利范围第2项所述之晶片间接合方法，其中在提供该第二晶片之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该另一导电接合材料到该第二晶片上，而接下来系将形成在该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二晶片电性连接。5.如申请专利范围第2项所述之晶片间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该另一导电接合材料的接合温度。6.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中该导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。7.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。8.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。9.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该导电柱上。10.如申请专利范围第1项所述之晶片间接合方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该导电柱上。11.一种晶片间接合方法，至少包括：提供一第一晶片及一第二晶片；形成至少一导电柱到该第一晶片上；形成至少一导电接合材料到该第二晶片上；以及进行一接合制程，藉由该导电接合材料使得该导电柱与该第二晶片电性连接。12.如申请专利范围第11项所述之晶片间接合方法，其中在提供该第二晶片之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该导电接合材料到该第二晶片上，而接下来系将形成在该第一晶片上的该导电柱与形成本该第二晶片上的该导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该第一晶片上的该导电柱与形成在该第二晶片上的该导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该导电柱及该导电接合材料能够与该第二晶片电性连接。13.如申请专利范围第11项所述之晶片间接合方法，其中该导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。14.如申请专利范围第11项所述之晶片间接合方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。15.如申请专利范围第11顶所述之晶片间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。16.如申请专利范围第11项所述之晶片间接合方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该第二晶片上。17.如申请专利范围第11项所述之晶片间接合方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该第二晶片上。18.一种多晶片模组制造方法，至少包括：提供一第一晶片、一第二晶片及一承载器；形成复数个导电柱到该第一晶片上；形成一导电接合材料到该些导电柱上；进行一接合制程，藉由该导电接合材料使得该些导电柱与该第二晶片电性连接；以及将该第一晶片固定到该承载器上，并与该承载器电性连接。19.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该第二晶片之后，还形成另一导电接合材料到该第二晶片上，接下来便将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二晶片电性连接。20.如申请专利范围第19项所述之多晶片模组制造方法，其中该另一导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。21.如申请专利范围第19项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该第二晶片之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该另一导电接合材料到该第二晶片上，而接下来系将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二晶片上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二晶片电性连接。22.如申请专利范围第19项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱的熔点系高于该另一导电接合材料的接合温度。23.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。24.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。25.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中系在该第二晶片固定到该第一晶片上之后，才将该第一晶片固定到该承载器上。26.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中系将该第一晶片固定到该承载器上之后，才将该第二晶片固定到该第一晶片上。27.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该第一晶片具有一主动表面及对应之一背面，而该些导电柱系形成到该第一晶片之该主动表面上，该第一晶片系以其该背面贴附到该承载器上，该第一晶片系藉由打线的方式与该承载器电性连接。28.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中在将该第一晶片固定到该承载器上时，系将该导电接合材料与该承载器接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱及该导电接合材料能够固定到该承载器上，并与该承载器电性连接。29.如申请专利范围第28项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该承载器之后，还形成另一导电接合材料到该承载器上，接下来便将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该承载器电性连接。30.如申请专利范围第29项所述之多晶片模组制造方法，其中该另一导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。31.如申请专利范围第29项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该承载器之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该另一导电接合材料到该承载器上，而接下来系将形成本该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该承载器上的该另一导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成本该承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该承载器电性连接。32.如申请专利范围第29项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱的熔点系高于该另一导电接合材料的接合温度。33.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该第一晶片系为数位逻辑晶片。34.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该第二晶片系为记忆体晶片。35.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。36.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该些导电柱上。37.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该些导电柱上。38.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该承载器系为基板、陶瓷基板及导线架，三者择一。39.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中该承载器具有一开口，该开口系贯穿该承载器，该承载器还具有一表面及对应之一背面，当该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，该第二晶片系容纳在该承载器之该开口中，而该第一晶片系固定到该承载器之该表面上。40.如申请专利范围第39项所述之多晶片模组制造方法，其中在该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，还包括：形成一脱型膜到该承载器的该背面，并且封住该承载器之该开口靠近该背面的一侧；将一封装材料至少填入到该开口中、该第一晶片与该第二晶片之间及该第一晶片与该承载器之间；以及将该脱型膜从该承载器的该背面上除去。41.如申请专利范围第40项所述之多晶片模组制造方法，其中填入该封装材料的方法系为点胶及灌胶，二者择。42.如申请专利范围第18项所述之多晶片模组制造方法，其中在该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，还形成一封装材料至少包覆该第一晶片与该第二晶片之间的电性接合部份及该第一晶片与该承载器之间的电性接合部份。43.如申请专利范围第42项所述之多晶片模组制造方法，其中形成该封装材料的方法系为点胶及灌胶，二者择一。44.一种多晶片模组制造方法，至少包括：提供一第一晶片、一第二晶片及一承载器；形成复数个导电柱到该第一晶片上；形成一导电接合材料到该第二晶片上；进行一接合制程，藉由该导电接合材料使得该些导电柱与该第二晶片电性连接；以及将该第一晶片固定到该承载器上，并与该承载器电性连接。45.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。46.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。47.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中系在该第二晶片固定到该第一晶片上之后，才将该第一晶片固定到该承载器上。48.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中系将该第一晶片固定到该承载器上之后，才将该第二晶片固定到该第一晶片上。49.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该第一晶片具有一主动表面及对应之一背面，而该些导电柱系形成到该第一晶片之该主动表面上，该第一晶片系以其该背面贴附到该承载器上，该第一晶片系藉由打线的方式与该承载器电性连接。50.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中在将该第一晶片固定到该承载器上时，系将该导电接合材料与该承载器接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱及该导电接合材料能够固定到该承载器上，并与该承载器电性连接。51.如申请专利范围第50项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该承载器之后，还形成另一导电接合材料到该承载器上，接下来便将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该承载器电性连接。52.如申请专利范围第51项所述之多晶片模组制造方法，其中该另一导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。53.如申请专利范围第51项所述之多晶片模组制造方法，其中在提供该承载器之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该另一导电接合材料到该承载器上，而接下来系将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该承载器上的该另一导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该些导电柱上的该导电接合材料与形成在该承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一晶片藉由该些导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该承载器电性连接。54.如申请专利范围第51项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱的熔点系高于该另一导电接合材料的接合温度。55.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该第一晶片系为数位逻辑晶片。56.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该第二晶片系为记忆体晶片。57.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该些导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。58.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该些导电柱上。59.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该些导电柱上。60.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该承载器系为基板、陶瓷基板及导线架，三者择一。61.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中该承载器具有一开口，该开口系贯穿该承载器，该承载器还具有一表面及对应之一背面，当该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，该第二晶片系容纳在该承载器之该开口中，而该第一晶片系固定到该承载器之该表面上。62.如申请专利范围第61项所述之多晶片模组制造方法，其中在该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，还包括：形成一脱型膜到该承载器的该背面，并且封住该承载器之该开口靠近该背面的一侧；将一封装材料至少填入到该开口中、该第一晶片与该第二晶片之间及该第一晶片与该承载器之间；以及将该脱型膜从该承载器的该背面上除去。63.如申请专利范围第62项所述之多晶片模组制造方法，其中填入该封装材料的方法系为点胶及灌胶，二者择。64.如申请专利范围第44项所述之多晶片模组制造方法，其中在该第二晶片固定到该第一晶片上及该第一晶片固定到该承载器上之后，还形成一封装材料至少包覆该第一晶片与该第二晶片之间的电性接合部份及该第一晶片与该承载器之间的电性接合部份。65.如申请专利范围第64项所述之多晶片模组制造方法，其中形成该封装材料的方法系为点胶及灌胶，二者择一。66.一种晶片间接合结构，至少包括：一第一晶片；一第二晶片；以及至少一导电柱，配置在该第一晶片与该第二晶片之间。67.如申请专利范围第66项所述之晶片间接合结构，还包括一导电接合材料，系与该导电柱电性连接。68.如申请专利范围第67项所述之晶片间接合结构，其中该导电接合材料系包覆该导电柱。69.如申请专利范围第67项所述之晶片间接合结构，其中该导电接合材料系与该导电柱之一侧接合。70.如申请专利范围第67项所述之晶片间接合结构，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。71.如申请专利范围第67项所述之晶片间接合结构，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。72.如申请专利范围第66项所述之晶片间接合结构，其中该第一晶片系为数位逻辑晶片。73.如申请专利范围第66项所述之晶片间接合结构，其中该第二晶片系为记忆体晶片。74.如申请专利范围第66项所述之晶片间接合结构，其中该导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。75.一种多晶片封装模组，至少包括：一第一晶片；一第二晶片；复数个导电柱，该些导电柱系位在该第一晶片与该第二晶片之间；以及一承载器，该第一晶片系与该承载器相固定，并与该承载器电性连接。76.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，还包括一导电接合材料，系与该些导电柱电性连接。77.如申请专利范围第76项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料系包覆该些导电柱。78.如申请专利范围第76项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料系与该些导电柱之一侧接合。79.如申请专利范围第76项所述之多晶片封装模组，其中该些导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。80.如申请专利范围第76项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。81.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该第一晶片系为数位逻辑晶片。82.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该第二晶片系为记忆体晶片。83.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该些导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。84.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该第一晶片具有一主动表面及对应之一背面，而该些导电柱系位在该第一晶片之该主动表面与该第二晶片之间，该第一晶片系以其该背面贴附到该承载器上，该第一晶片系藉由打线的方式与该承载器电性连接。85.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该些导电柱还配置在该第一晶片与该承载器之间。86.如申请专利范围第85项所述之多晶片封装模组，还包括一导电接合材料，系与该些导电柱电性连接。87.如申请专利范围第86项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料系包覆该些导电柱。88.如申请专利范围第86项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料系与该些导电柱之一侧接合。89.如申请专利范围第86项所述之多晶片封装模组，其中该些导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。90.如申请专利范围第86项所述之多晶片封装模组，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。91.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该承载器系为基板、陶瓷基板及导线架，三者择一。92.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，其中该承载器具有一开口，该开口系贯穿该承载器，该第二晶片系容纳在该承载器之该开口中。93.如申请专利范围第75项所述之多晶片封装模组，还包括一封装材料系填充到该第一晶片与该第二晶片之间及该第一晶片与该承载器之间的电性接合部份。94.一种承载器间接合方法，至少包括：提供一第一承载器及一第二承载器；形成至少一导电柱到该第一承载器上；形成膏状的至少一导电接合材料到该导电柱上；以及利用回焊的方式，藉由该导电接合材料使得该导电柱与该第二承载器电性连接。95.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中在提供该第二承载器之后，还形成另一导电接合材料到该第二承载器上，接下来便将形成在该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一承载器藉由该导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二承载器电性连接。96.如申请专利范围第95项所述之承载器间接合方法，其中该另一导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。97.如申请专利范围第95项所述之承载器间接合方法，其中在提供该第二承载器之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该另一导电接合材料到该第二承载器上，而接下来系将形成在该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二承载器上的该另一导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成本该导电柱上的该导电接合材料与形成在该第二承载器上的该另一导电接合材料接合，使得该第一承载器藉由该导电柱、该导电接合材料及该另一导电接合材料能够与该第二承载器电性连接。98.如申请专利范围第95项所述之承载器间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该另一导电接合材料的接合温度。99.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中该第一承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。100.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中该第二承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。101.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中该导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。102.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。103.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。104.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该导电柱上。105.如申请专利范围第94项所述之承载器间接合方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该导电柱上。106.一种承载器间接合方法，至少包括：提供一第一承载器及一第二承载器；形成至少一导电柱到该第一承载器上；形成膏状的至少一导电接合材料到该第二承载器上；以及利用回焊的方式，藉由该导电接合材料使得该导电柱与该第二承载器电性连接。107.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中在提供该第二承载器之后，系利用网板印刷的方式形成膏状的该导电接合材料到该第二承载器上，而接下来系将形成在该第一承载器上的该导电柱与形成本该第二承载器上的该导电接合材料相附着，之后还利用回焊的方式，将形成在该第一承载器上的该导电柱与形成在该第二承载器上的该导电接合材料接合，使得该第一承载器藉由该导电柱及该导电接合材料能够与该第二承载器电性连接。108.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中该第一承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一，109.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中该第二承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。110.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中该导电柱之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。111.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中该导电接合材料之材质系选自于由锡、铅、铜、金、银、锌、铋、镁、锑、铟、该等之组合及该等之合金所组成族群中的一种材质。112.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。113.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中系形成球状之该导电接合材料到该第二承载器上。114.如申请专利范围第106项所述之承载器间接合方法，其中系形成柱状之该导电接合材料到该第二承载器上。115.一种承载器间接合方法，至少包括：提供一第一承载器及一第二承载器；形成至少一第一导电柱到该第一承载器上；形成至少一第二导电柱到该第二承载器上；形成至少一导电接合材料到该第二导电柱上；以及进行一接合制程，藉由该导电接合材料使得该第一导电柱与该第二导电柱电性连接。116.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中在形成该导电接合材料到该第二导电柱上之后，还进行一蚀刻制程，使得该导电接合材料之一底面的一部份区域暴露于外，而该导电接合材料之该底面的其他区域系与该第二导电柱连接。117.如申请专利范围第116项所述之承载器间接合方法，其中该导电接合材料之边缘位置与该第二导电柱之边缘位置之间的最短距离系大于5微米。118.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中该第一导电柱的熔点及该第二导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。119.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中该第一导电柱的截面积系大致上相同于该第二导电柱的截面积。120.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中该第一导电柱的的高度系远大于该第二导电柱的高度。121.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中该第一承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。122.如申请专利范围第115项所述之承载器间接合方法，其中该第二承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。123.一种承载器间接合结构，至少包括：一第一承载器；一第二承载器；至少一第一导电柱，位在该第一承载器与该第二承载器之间；至少一第二导电柱，位于该第一导电柱与该第二承载器之间；以及一导电接合材料，包覆该该第一导电柱与该第二导电柱。124.如申请专利范围第123项所述之承载器间接合结构，其中该第一导电柱的熔点及该第二导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。125.如申请专利范围第123项所述之承载器间接合结构，其中该第一导电柱的截面积系大致上相同于该第二导电柱的截面积。126.如申请专利范围第123项所述之承载器间接合结构，其中该第一导电柱的的高度系远大于该第二导电柱的高度。127.如申请专利范围第123项所述之承载器间接合结构，其中该第一承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。128.如申请专利范围第123项所述之承载器间接合结构，其中该第二承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。129.一种导电接合结构，适于配置在一承载器上，该导电接合结构包括：一导电柱，系位在该承载器上；以及一导电接合材料，系位在该导电柱上，该导电接合材料具有一底面，其中该导电接合材料之该底面的一部份区域系暴露于外，而该导电接合材料之该底面的其他区域系与该导电柱连接。130.如申请专利范围第129项所述之导电接合结构，其中该导电接合材料之边缘位置与该导电柱之边缘位置之间的最短距离系大于5微米。131.如申请专利范围第129项所述之导电接合结构，其中该导电柱的熔点系高于该导电接合材料的接合温度。132.如申请专利范围第129项所述之导电接合结构，其中该承载器系为晶片、基板及陶瓷基板，三者则一。图式简单说明：第1图至第5图绘示习知覆晶晶片接合制程的剖面示意图。第6图及第7图绘示依照本发明第一较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图。第8A图、第8B图及第9图绘示依照本发明第二较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图。第10图绘示依照本发明第三较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图第11图绘示依照本发明第四较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图。第12A图及第12B图绘示依照本发明第五较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图。第13图及第14图绘示依照本发明第六较佳实施例之承载器间接合方法的剖面示意图。第15图至第21图绘示依照本发明第六较佳实施例中导电柱及导电接合材料形成到第二承载器上之制程剖面示意图。第22图至第29图绘示依照本发明第一较佳实施例之多晶片模组制造方法的剖面放大示意图。第30图到第32图绘示依照本发明第二较佳实施例之多晶片模组制造方法的剖面放大示意图。第33图到第36图绘示依照本发明第三较佳实施例之多晶片模组制造方法的剖面放大示意图。第37图到第42图绘示依照本发明第四较佳实施例之多晶片模组制造方法的剖面放大示意图。第43图绘示依照本发明第五较佳实施例之多晶片封装模组的剖面放大示意图。 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