| 发明名称 |
Herstellungsverfahren von integriertem Halbleiterschaltkreisbauelement mit Halbleiterfestwertspeicherbauelementen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60232693(D1) |
申请公布日期 |
2009.08.06 |
| 申请号 |
DE20026032693 |
申请日期 |
2002.01.28 |
| 申请人 |
SEIKO EPSON CORP. |
发明人 |
EBINA, AKIHIKO;MARUO, YUTAKA |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8246;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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