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<p>Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (30) zur Emission einer Primärstrahlung, einer Strahlungsauskoppelfläche (10) auf einer Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (20) zur Auskopplung der Primärstrahlung, einer Spiegelschicht (50) auf einer von der Strahlungsauskoppelfläche (10) abgewandten Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (20), und einer Wellenlängenkonversionsschicht (100) zwischen der aktiven Schicht (30) und der Spiegelschicht (50), wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest einen Leuchtstoff (70) zur Wellenlängenkonversion der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung aufweist, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (100) zumindest eine Öffnung aufweist, in der ein elektrisches Kontaktelement (90) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, angegeben.</p> |
