| 摘要 |
Es wird eine selektive Verspannungsgedächtnistechnik offenbart, in der das Erzeugen einer Zugverformung ohne zusätzliche Photolithographieschritte erreicht wird, indem eine Implantationsmaske oder eine andere Maske, die während eines standardmäßigen Fertigungsablaufs erforderlich ist, verwendet wird oder indem eine strukturierte Deckschicht für eine verformte Rekristallisierung entsprechender Drain- und Sourcebereiche vorgesehen wird. In noch anderen Aspekten werden zusätzliche Ausheizschritte eingesetzt, um selektiv einen kristallinen Zustand und einen nicht-kristallinen Zustand vor dem Rekristallisieren auf der Grundlage einer Deckschicht zu erzeugen. Somit kann eine erhöhte Verformung in einer Art von Transistoren erreicht werden, während die andere Art an Transistoren im Wesentlichen nicht negativ beeinflusst wird, ohne dass zusätzliche Photolithographieschritte erforderlich sind.
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