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发明名称
MEM SUSPENDED GATE NON-VOLATILE MEMORY
摘要
A carrier storage node such as a floating gate is formed on a moving electrode with a control gate to form a suspended gate non-volatile memory, reducing floating gate to floating gate coupling and leakage current, and increasing data retention.
申请公布号
US2009196106(A1)
申请公布日期
2009.08.06
申请号
US20090398789
申请日期
2009.03.05
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
ARITOME SEIICHI
分类号
G11C16/06;G11C16/00
主分类号
G11C16/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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