一种硅薄膜太阳能电池

摘要

本发明涉及一种硅薄膜太阳能电池，其主要包含一基板；一透明导电膜；一P型半导体层；一本征(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，P-i-N半导体层内，各有不同的结晶结构，可提高其整体光的波长吸收范围、并提高太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1、一种硅薄膜太阳能电池，其特征在于，其包含：一基板；一透明导电膜，形成于该基板上，用于取出电能与提升光电转换的效率；一P型半导体层，该P型半导体层内具有镶埋纳米晶硅，形成于该透明导电膜上，用于产生空穴；一本征半导体层，该本征半导体层内具有镶埋微晶硅，形成于该P型半导体层上方，用于提高太阳能电池的电特性；一N型半导体层，该N型半导体层内具有镶埋多晶硅，形成于该本征半导体层上方，用于产生电子；一电极，形成于该N型半导体层上方，用于取出电能与提升光电转换的效率。