| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。 | ||
| 申请公布号 | CN100524633C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610110899.8 | 申请日期 | 1999.01.26 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 达拉姆·派尔·古赛恩;野本和正;乔纳森·维斯特沃特;中越美弥子;堆井节夫;野口隆;森芳文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种存储器的制造方法，具备下述工序：在由非硅材料构成的基板上边形成了半导体膜之后，在该半导体膜上边，形成含有过剩半导体元素的非化学计量比组成的存储区形成用薄膜的工序；采用加热处理的办法，使含有上述半导体元素的微粒分散到上述存储区形成用薄膜中去形成存储区的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||