用于薄膜的增强型氧非理想配比补偿

摘要

一种制造磁记录介质的方法，包括步骤：由溅射靶在衬底上反应性或非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层。溅射靶包括：钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧化物以及非反应性溅射时的第二金属氧化物。第一数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的理想化学配比的第三金属氧化物。在溅射过程中，第一数据存储薄膜层中第三金属氧化物的任何非理想化学配比通过使用溅射靶中第二金属氧化物的氧(O)或者使用富氧气氛中的氧(O)来补偿。第一金属从硼(B)、硅(Si)、铝(Al)、钽(Ta)、钕(Nb)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钨(W)、钴(Co)、钇(Y)、铬(Cr)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、钒(V)、钐(Sm)、镨(Pr)、锰(Mn)、铱(Ir)、铼(Re)、镍(Ni)和锌(Zn)中选取。溅射靶还包括铬(Cr)和/或硼(B)。

主权项

1. 一种制造磁记录介质的方法，包括步骤：由溅射靶在衬底上非反应性地溅射至少第一数据存储薄膜层，其中，所述溅射靶包括：钴(Co)、铂(Pt)、包括第一金属和氧(O)的第一金属氧化物、和第二金属氧化物，其中，所述第一数据存储薄膜层包括钴(Co)、铂(Pt)、包括所述第一金属和氧(O)的理想化学配比的第三金属氧化物，其中，在溅射过程中，所述第一数据存储薄膜层中第三金属氧化物的任何非理想化学配比通过使用溅射靶中所述第二金属氧化物的氧(O)来补偿，以及其中，在所述磁记录介质的含氧晶界内提供理想化学配比量的氧。