半导体记忆元件及其记忆胞编程方法和罩幕式只读存储器

摘要

本发明是关于一种半导体记忆元件及其记忆胞编程方法和罩幕式只读存储器，其包括在一基底上成长一介电层。在介电层上形成条状堆叠层，每一条状堆叠层有一多晶硅与一氮化硅层。而在条状堆叠层之间的基底中形成源极/汲极区，再在条状堆叠层之间沉积间隙壁。之后，图案化条状堆叠层成闸极，其是配置于每一码位置上，且有数个氮化硅可弃柱配置于闸极上。接着，在闸极间隙壁上形成额外的间隙壁。然后，去除氮化硅可弃柱，以暴露出闸极。之后，根据想要的编码形成一罩幕覆盖主动码位置，再经由罩幕在暴露出的闸极上沉积绝缘层。当罩幕去除后，形成内连于无绝缘层的闸极的字元线。

主权项

1、一种记忆元件的编程方法，其中该记忆元件包括多个记忆胞，该些记忆胞包括多个预定记忆胞与多个非预定记忆胞，且每一个该些记忆胞均包括一闸极及位于该闸极上方的一字元线，其特征在于其包括藉由电性隔绝该些预定记忆胞与该记忆元件的多个字元线，使该记忆元件的该些预定记忆胞失效，藉以使该记忆元件的非失效的该些非预定记忆胞先被遮蔽且接着不与相对的该些字元线隔绝，其中该些预定记忆胞以外的非失效的该些非预定记忆胞与该记忆元件之相对的该些字元线相连，其更包括以下步骤：提供一基底，具有一第一表面；在该基底的该第一表面上产生一介电层；在该介电层上形成大致平行的多个条状堆叠层，每一条状堆叠层包括形成于一闸极电极层上的一可弃层，每一条状堆叠层的该闸极电极层是配置于该介电层上；在该基底中形成多个源极/汲极区，每一源极/汲极区相邻于该基底的该第一表面，其中每一条状堆叠层是配置于一对相邻的该些源极/汲极区之间；在该介电层上形成多个第一间隙壁，每一第一间隙壁是配置于两相邻的该些条状堆叠层之间；图案化该些条状堆叠层，以形成配置于该介电层上的多个闸极电极以及配置于该闸极电极上的多个可弃柱，其中有部分该些条状堆叠层被去除以产生多个缝隙；在该些缝隙中形成多个第二间隙壁；以及去除该些可弃柱，以形成多个开口，暴露出该些闸极电极，其中遮蔽该些非预定记忆胞包括形成一图案化罩幕，以根据编码覆盖相对该记忆元件的多个主动码位置的该些闸极电极，其中失效的该些预定记忆胞更包括根据编码在相对该记忆元件的多个非主动码位置的该闸极电极上沉积多个绝缘层，去除该图案化罩幕，再形成连接相对该些主动码位置的该些闸极电极的多个字元线，每一字元线垂直配置于该些源极/汲极区，而该些非主动码位置的该些闸极电极电性隔绝于该些字元线。