| 发明名称 | 基于灵敏度的抗蚀剂组合物评价方法 | ||
| 摘要 | 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100523804C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510137593.7 | 申请日期 | 2004.01.27 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 平山拓;羽田英夫;藤村悟史;岩井武;佐藤充;高须亮一;立川俊和;岩下淳;石塚启太;山田知孝;高山寿一;吉田正昭 |
| 分类号 | G01N33/00(2006.01)I;G03F7/038(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G01N33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈长会 |
| 主权项 | 1. 一种抗蚀剂组合物的适用性的评价方法，所述抗蚀剂组合物作为用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物，其中如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||