发明名称 |
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其制作方法 |
摘要 |
一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器以及在集成电路(10)中制作这种结构的方法,采用沿着MIM电容器结构(12)中限定部位的一对腿(14)之间所确定的沟道(18)延伸的侧壁隔板(42)来改进MIM电容器结构(12)中的电容密度。每个腿(14)包括顶部和底部电极(38,30)和介于二者之间的一个绝缘层(36),以及面对沟道(18)的侧壁(40)。侧壁隔板(42)包括一个导电层(44)和介于导电层(44)与一个腿(14)的侧壁(40)之间的绝缘层(36),并且侧壁隔板(42)的导电层(44)与MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)物理上分离开。还可以在上沉积用来减少电极氧化的绝缘层(36)之前对MIM电容器结构(12)的底部电极(30)进行氨水等离子处理。进而用一种多级速率蚀刻工艺来蚀刻MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)和绝缘层(36),用第一快速率实施各向异性的蚀刻直至分别限定了MIM电容器结构(12)的顶部电极(38)和绝缘层(36)的导电和介电材料之间界面附近的一点,然后用第二慢速率实施各向异性的蚀刻直至MIM电容器结构(12)的底部电极(30)上所限定的一个蚀刻阻挡层(34)附近的一点。 |
申请公布号 |
CN100524613C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN02820001.2 |
申请日期 |
2002.10.08 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
M·奥莱瓦恩;K·塞兹 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
1. 一种在集成电路中采用的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构,该MIM电容器结构包括:a)彼此平行地延伸并在二者之间限定沟道的第一和第二腿,每个腿包括顶部电极和底部电极、介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层、以及面对沟道的侧壁;以及b)沿着沟道延伸的侧壁隔板,侧壁隔板包括导电层和介于导电层与第一腿的侧壁之间的介电绝缘层,其中侧壁隔板的导电层与顶部电极物理上分离开。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |