发明名称 |
堆叠型晶片封装结构 |
摘要 |
本发明是有关于一种堆叠型晶片封装结构,其包括一基板、一第一晶片、多数条打线导线、一第二晶片和多个具有B阶特性的导电凸块(B-stageconductive bump)。其中,第一晶片设置在基板上,且第一焊垫是配置于其主动表面上。此外,第一焊垫经由打线导线而与基板电性连接。第二晶片设置在第一晶片的上方,且其主动表面上设置有多个第二焊垫。第二晶片上的第二焊垫分别经由各具有B阶特性的导电凸块而电性连接至第一晶片的第一焊垫,且各具有B阶特性的导电凸块覆盖于相应的打线导线的一部分。 |
申请公布号 |
CN100524736C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200510115213.X |
申请日期 |
2005.11.11 |
申请人 |
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
发明人 |
沈更新 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种堆叠型晶片封装结构,包括:一基板;一第一晶片,配置于该基板上,该第一晶片的主动表面上设置有多数个第一焊垫;多数条打线导线,该些第一焊垫是经由该些打线导线而与该基板电性连接;一第二晶片,配置于该第一晶片之上,该第二晶片的一主动表面上设置有多数个第二焊垫,该第二晶片的主动表面与该第一晶片的主动表面面对面设置;以及多数个具有B阶特性的导电凸块,其中该第二晶片的该些第二焊垫是经由该些具有B阶特性的导电凸块分别电性连接至该第一晶片的该些第一焊垫,且各该具有B阶特性的导电凸块覆盖相对应的该打线导线的一部分。 |
地址 |
中国台湾 |