发明名称 | 具有在端部区域处于稳定磁状态的磁写入线的MRAM单元 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于提供和使用磁存储器的方法和系统。磁存储器包括多个磁存储器单元、多条磁写入线和多个磁偏置结构。所述多条磁写入线具有多个端部区域。所述多个磁偏置结构连接到所述多条磁写入线的多个端部区域。 | ||
申请公布号 | CN100524813C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
申请号 | CN200480003687.9 | 申请日期 | 2004.02.03 |
申请人 | 磁旋科技公司 | 发明人 | D·曾 |
分类号 | H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/76(2006.01)I |
代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟 |
主权项 | 1. 一种磁存储器,包括:多个磁存储器单元;与所述多个磁存储器单元相连的多条磁写入线,所述多条磁写入线具有多个端部区域;和多个磁偏置结构,其中所述多个磁偏置结构包括连接到所述多个端部区域的多个磁偏置结构,其中所述多个磁偏置结构使得磁写入线的端部区域的磁化与磁写入线的中间部分的磁化处于相同的方向上。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |