发明名称 |
TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法 |
摘要 |
TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法,它涉及一种TiNi合金支架注磷的方法。本发明方法解决了现有技术中TiNi合金支架注磷后射线穿透性弱的问题。本发明的方法如下:一、化学抛光;二、注磷;三、慢中子辐照活化,即得注磷的TiNi合金支架。本发明方法制备的注磷的TiNi合金支架射线穿透性强。本发明方法简单,操作方便。 |
申请公布号 |
CN101496907A |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200910071350.6 |
申请日期 |
2009.01.24 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
高智勇;赵兴科;隋解和;蔡伟;吴冶 |
分类号 |
A61L27/12(2006.01)I;A61F2/82(2006.01)I;A61L27/06(2006.01)N |
主分类号 |
A61L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
单 军 |
主权项 |
1、TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法,其特征在于TiNi合金支架注磷后慢中子辐照活化的方法按以下步骤实现:一、化学抛光:将TiNi合金支架放入温度为40~60℃的HF/HNO3/H2O体系中浸泡5~15s,再放入丙酮中超声波清洗20~60min,然后吹干;二、注磷:采用红磷为离子源,将离子源加热蒸发汽化,脉冲高压使之离子化,然后在注入电压为30~90KV,注入量为4×1017P/cm2、脉冲电流为20~30A,频率为100~200Hz,脉冲宽度为40~60μs,一栅为0.3~1kV,二栅为0.5~1.5kV的条件下注磷;三、慢中子辐照活化:在慢中子通量为5.88×1017n/m2s、慢中子辐照剂量为1.69×1022n/m2的条件下辐照6~12h,即得注磷的TiNi合金支架;其中步骤一HF/HNO3/H2O体系由HF、HNO3和H2O按重量份数1:2:10混合。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |