| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储器，其包括二极管以及存储单元。二极管包括掺杂区、金属硅化物层与图案化掺杂半导体层。掺杂区配置于基底中，且掺杂区为第一导电型。金属硅化物层配置于基底上。而图案化掺杂半导体层配置于金属硅化物层上，且图案化掺杂半导体层为第二导电型。存储单元配置于基底上，并与二极管耦接。 | ||
| 申请公布号 | CN101499482A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810005503.2 | 申请日期 | 2008.02.03 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 庄仁吉;黄丘宗;廖御杰 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种非易失性存储器，包括：二极管，包括：掺杂区，配置于基底中，且该掺杂区为第一导电类型；金属硅化物层，配置于该基底上；以及图案化掺杂半导体层，配置于该金属硅化物层上，且该图案化掺杂半导体层为第二导电类型；以及存储单元，配置于该基底上，该存储单元与该二极管耦接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||