| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体多层结构 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的是提供一种具有平滑表面且呈现优良结晶度的III族氮化物半导体多层结构，所述多层结构采用可容易加工的低成本衬底。另一个目的是提供一种包括所述多层结构的III族氮化物半导体发光器件。本发明的III族氮化物半导体多层结构包括：衬底；Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0≤x≤1)缓冲层，设置在所述衬底上且具有柱状或岛状晶体结构；以及Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)单晶层，设置在所述缓冲层上，其中所述衬底在其表面上具有平均深度为0.01至5μm的非周期分布的沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN100524624C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200580002399.6 | 申请日期 | 2005.01.25 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 浦岛泰人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1. 一种III族氮化物半导体多层结构，包括：衬底；AlxGa1-xN缓冲层，设置在所述衬底上且具有柱状或岛状晶体结构，其中0≤x≤1；以及AlxInyGa1-x-yN单晶层，设置在所述缓冲层上，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，其中所述衬底在其表面上具有平均深度为0.01至5μm的非周期分布的沟槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||