提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法

摘要

一种在单晶硅太阳能电池表面PECVD沉积SiN薄膜工艺，是一种产品致密性好、匀性好、附着性好的PECVD沉积SiN薄膜工艺。本发明经过清洁单晶硅片、在PECVD设备真空室内升温至300℃～400℃并保持稳定时，给真空室冲入流量3500ml/min的NH₃气体至200Pa左右，并加高频功率使其放电，进行体钝化，然后在反应室内通入流量245ml/min的SiH₄气体和2800ml/min的NH₃气体，并使反应室真空保持在265Pa左右，并加高频功率使其放电，进行沉积，本发明可以制作出致密性好、均匀性好、附着性好的SiN薄膜，并可使薄膜厚度控制在600埃～667埃之间，具有沉积温度低，沉积效率高的优点。

主权项

1. 一种在单晶硅太阳能电池表面PECVD沉积SiN薄膜工艺，其工艺包括以下步骤：(1)清洁单晶硅片：将二次清洗工序流至PECVD工序的硅片清理干净，保持硅片表面清洁无水渍；(2)体钝化：将硅片放入PECVD真空室内，抽真空，并开始升温至300℃～400℃，温度达到后在反应室内通入适量NH3气体，开启高频电源放电5～10分钟时间；(3)沉积：在反应室内通入一定比例的SiH4和NH3气体，保持1～2分钟时间，让气体在反应室内保持均匀，然后开启高频电源放电2分钟后，停止高频放电，切断气体通入，将反应室内残余气体抽干净。