| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：a.在硅衬底上形成金属薄膜层；b.通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c.通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d.除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；e.将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；f.将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；g.降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及h.将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。 | ||
| 申请公布号 | CN100524669C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610089954.X | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 斋藤信胜;南泽正荣;米田义之;清水敦和;今村和之;菊池敦;冈本九弘;渡边英二 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：a. 在硅衬底上形成金属薄膜层；b. 通过在所述金属薄膜层上的多个水平面中形成导电层和绝缘层来形成薄膜多层衬底；c. 通过粘合部件将支撑部件贴在所述薄膜多层衬底上；d. 通过背面磨削使所述硅衬底变薄；e. 在所述背面磨削后，除去所述硅衬底和所述金属薄膜层；f. 将所述薄膜多层衬底连同所述支撑部件一起个体化；g. 将所述薄膜多层衬底安装在封装衬底上并且将所述薄膜多层衬底固定在所述封装衬底上；h. 降低所述粘合部件的粘附性，从所述薄膜多层衬底上剥离所述支撑部件和所述粘合部件；以及i. 将至少一个半导体芯片安装在所述薄膜多层衬底上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||