线焊焊盘和球形焊盘之间厚度不同的半导体封装基片的制造方法

摘要

本发明公开一种半导体封装基片的制造方法。在该半导体封装基片中，线焊焊盘一面的电路层与球形焊盘一面的电路层厚度不同，其中线焊焊盘一面受到半刻蚀。另外，构成连接通孔以在线焊焊盘一面和球形焊盘一面的电镀引线之间形成电连接，从而防止线焊焊盘一面的电镀引线被切断时电连接断开。

主权项

1. 一种制造半导体封装基片的方法，包括：步骤1，制备覆铜箔层压板并对该覆铜箔层压板的线焊焊盘一面的铜箔进行半刻蚀以使该线焊焊盘一面的铜箔厚度比该覆铜箔层压板的球形焊盘一面的铜箔厚度薄；步骤2，在覆铜箔层压板的相反一面沉积第一防蚀涂层；步骤3，在第一防蚀涂层上形成电路图，在电路图模型后构成包括线焊焊盘和球形焊盘的电路，并去除第一防蚀涂层；步骤4，将阻焊剂应用到该覆铜箔层压板上，以此方式露出线焊焊盘和球形焊盘；以及步骤5，将线焊焊盘镀金，并对球形焊盘进行表面处理。