| 发明名称 | 近自然击穿器件 | ||
| 摘要 | 近自然击穿器件，包括半导体区，其中该半导体区是强制或非强制近自然击穿区，其在横过器件施加大小小于或等于非自然击穿(例如齐纳击穿和雪崩击穿)的击穿电压的预定电压时完全耗尽。 | ||
| 申请公布号 | CN101501858A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200780029171.5 | 申请日期 | 2007.06.04 |
| 申请人 | 盖伊·西尔弗;吴俊龙 | 发明人 | 盖伊·西尔弗;吴俊龙 |
| 分类号 | H01L29/68(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：第一区，由第一导电类型的半导体材料形成；以及第二区，邻近所述第一区，其中当预定电压横过所述第一和第二区施加时所述第一区变成完全耗尽。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||