| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在具有外部连接用电极(14a)的半导体结构体(6)的下表面，形成绝缘膜(1)和金属层(3)及掩模金属层(4)，绝缘膜(1)具有比半导体结构体(6)的平面尺寸大的平面尺寸，金属层(3)及掩模金属层(4)具有连接焊盘部(2a)，在连接焊盘部(2a)形成有与外部连接用电极(14a)对应的第一开口部(5)。通过以掩模金属层(4)为掩模照射激光束，从而在与外部连接用电极(14a)对应的部分的绝缘膜(1)上形成第2开口部(17)。另外，形成经由绝缘膜(1)的第2开口部(17)将布线(3)与外部连接用电极(14a)进行连接的连接导体(21)。 | ||
| 申请公布号 | CN101499445A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910009626.8 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 定别当裕康 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许玉顺;胡建新 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构体(6)，具有半导体衬底(8)及在该半导体衬底(8)上设置的外部连接用电极(14a)；布线(3)，具有连接焊盘部(2a)，该连接焊盘部(2a)形成有第1开口部(5a)，该第1开口部(5a)与上述半导体结构体(6)的上述外部连接用电极(14a)对应地形成；绝缘膜(7或1)，设在上述外部连接用电极(14a)与连接焊盘部(2a)之间，具有与上述第1开口部(5)连通并到达上述外部连接用电极(14)的第2开口部(17)；连接导体(21)，经由上述第1开口部(5)及上述第2开口部(17)，将外部连接用电极(14a)和上述布线(3)进行电连接；以及掩模金属层(4)，形成在上述连接导体(21)与上述布线(3)之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||