| 发明名称 | 高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向(y方向)上进行了拉伸。利用本发明，能够获得高偏振的单偶极模，并且在工艺上也较为容易实现。 | ||
| 申请公布号 | CN101499622A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810057179.9 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郑婉华;陈微;邢名欣;任刚;周文君;刘安金;陈良惠 |
| 分类号 | H01S5/10(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I;H01S3/08(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种高偏振单偶极模的光子晶体微腔结构，其特征在于，该结构采用准三维的光子晶体薄板结构，由形成于半导体材料薄板上的空气孔构成，该结构的中心为缺陷腔，与缺陷腔最邻近六个空气孔的半径小于其他空气孔的半径，该结构在半导体材料薄板平面的纵向进行了拉伸。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||