| 发明名称 | 一种半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一氮化硅层位于该栅极结构和该缺口之上；一掺杂氧化层位于该氮化硅层之上；及一未掺杂氧化层位于该掺杂氧化层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN100524642C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200710006221.X | 申请日期 | 2002.12.12 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 阿杰·M·乔希;贝·曼·阿格尼丝·额;詹姆斯·A·施廷纳特;乌萨马·达杜;贾森·里吉斯 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，该半导体器件包含：一基板；第一和第二栅极结构，位于该基板上，该第一和第二栅极结构由小于约0.25微米的缺口所分隔；一连续的氮化硅层，覆盖该第一和第二栅极结构的每个栅极结构的顶端和侧面，但不覆盖该缺口的底部；一掺杂氧化层，位于该氮化硅层之上；一未掺杂氧化层，位于该掺杂氧化层之上；及一接触孔洞，延伸经过该未掺杂氧化层和该掺杂氧化层，该接触孔洞延伸到该第一和第二栅极结构各自的一部分之上的该氮化硅层，并延伸到该缺口的底部的该基板处。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||