半导体图像采集设备的封装结构及其制造方法

摘要

提供了一种半导体图像采集设备的封装。所述封装通过倒装芯片凸块工艺制造。根据第一实施方式，在形成金属结合层和电镀金属层的沉积工艺中，半导体图像采集设备的表面保持在室温和200℃之间的范围内。根据第二实施方式，防止产生压力的聚合体层可以吸收沉积工艺中产生的压力。根据本发明，可以防止半导体图像采集设备的表面上的功能聚合体层的性质恶化和表面变形。

主权项

1. 一种半导体图像采集设备的封装结构的制造方法，包括步骤：在半导体图像采集设备的表面上形成绝缘薄膜并且然后选择性蚀刻所述绝缘薄膜从而暴露形成在半导体图像采集设备的边缘上的电极板；在半导体图像采集设备的中心处形成的图像传感单元上形成至少一个功能聚合体层；在形成有选择性蚀刻的绝缘薄膜和至少一个功能聚合体层的半导体图像采集设备的表面上形成至少一个金属薄膜层，同时在室温至200℃的范围之间调节半导体图像采集设备的表面温度；在所述金属薄膜层的顶部上形成光敏薄膜并且然后对所述光敏薄膜进行曝光和冲洗从而将形成在所述半导体图像采集设备的电极板的区域的金属薄膜层暴露；在暴露于形成所述半导体图像采集设备的电极板的区域的金属薄膜层的顶部形成凸块；以及去除所述光敏薄膜并且然后使用所述凸块为掩模而蚀刻所述金属薄膜层。