一种磷化镓晶片双面抛光方法

摘要

一种磷化镓晶片双面抛光方法，它包括以下步骤：(1)、清洗：在清洗液中超声清洗晶片，清洗温度在50-100℃之间；(2)、贴片；(3)、磷面抛光：将冷却后的抛光盘放于抛光布上，用抛光臂固定好抛光盘，在抛光压力为10-50psi，抛光液的流量为10-40ml/min，温度为5-25℃下进行抛光，厚度合格后冲水；(4)、去片、粘片及进行另一面抛光；(5)、清洗检验。本发明优点：方法简单实用，可操作性强，所使用的化学试剂低成本材料，不会对环境和人体造成危害，抛光成品率85％以上。通过该方法抛光所得磷化镓抛光晶片总厚度变化不大于6μm，翘曲度不大于25μm，晶面平整度不大于5μm，在相应光源下均未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。

主权项

1、一种磷化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、清洗：在清洗液中超声清洗晶片，清洗温度在50～100℃之间；(2)、贴片：在抛光盘的面上涂蜡，在蜡面上贴薄纸，将烘干的待抛光晶片磷面向上贴在浸蜡薄纸上，再用同尺寸的抛光盘垂直压盘；(3)、磷面抛光：将冷却后的抛光盘放于抛光布上，用抛光臂固定好抛光盘，在抛光压力为10～50Psi，抛光液的流量为10～30ml/min，温度为5～25℃下进行抛光，晶片表面、厚度合格后冲水；(4)、去片、粘片及抛光：抛光盘被加热，去片，重复第(2)步将镓面朝上贴于抛光盘上，重复第(3)步进行另一面抛光；(5)、清洗检验，将抛光合格的晶片用清洗液超声清洗，再用纯水冲洗，将晶片放入热硫酸中腐蚀1～3分钟，温度为80～100℃，冷碱中浸泡1～3分钟，温度为0℃，随后水冲、甩干，检测抛光表面。