| 发明名称 | 导电膜形成方法、薄膜晶体管、带薄膜晶体管的面板、及薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101501820A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200780029519.0 | 申请日期 | 2007.08.08 |
| 申请人 | 株式会社爱发科;爱发科材料股份有限公司 | 发明人 | 高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;G02F1/1345(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 何欣亭;蒋 骏 |
| 主权项 | 1. 一种导电膜形成方法，通过溅镀法，在真空气氛中在成膜对象物的表面形成以铜为主成分且含有添加金属的导电膜，其中，将化学结构中具有氧原子的氧化气体供给所述真空气氛中，并溅镀含有从Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Ni、Bi、Ag、Zn、Sn、B、C、Al、Si、La、Ce、Pr、和Nd构成的群中选出的至少任何一种添加金属的靶，而使所述导电膜含有所述添加金属。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||