发明名称 |
具有可伸缩双晶体管存储单元的非易失性半导体存储设备 |
摘要 |
一种非易失性存储设备,包括:一条位线、一对数据线和多个可伸缩双晶体管存储(STTM)单元。该存储单元在一对数据线间排列,以便共享位线。该存储单元还包括一个数据线选择电路和一个感测放大电路。数据线选择电路选择一对数据线中的一个,感测放大电路对位线和选择的数据线间的电压差进行感测和放大。增加了操作速度,同时改进了设备单元阵列结构。 |
申请公布号 |
CN100524522C |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200510004106.X |
申请日期 |
2005.01.06 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
赵佑荣;崔炳吉 |
分类号 |
G11C16/04(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
吕晓章;马 莹 |
主权项 |
1. 一种非易失性存储设备,包括:一条位线;第一和第二数据线;并联于位线和第一数据线之间的可伸缩双晶体管存储单元的第一组;并联于位线和第二数据线之间的可伸缩双晶体管存储单元的第二组;一个第一组控制线,分别与第一组的可伸缩双晶体管存储单元相连;一个第二组控制线,分别与第二组的可伸缩双晶体管存储单元相连,其中第一和第二组控制线交替排列;用于响应控制信号而从第一和第二数据线中选择一个的选择电路;用于感测并放大位线和选择的数据线之间的电压差的感测放大电路。 |
地址 |
韩国京畿道 |