| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明可恰当控制字线间或位线等的杂质分布图，能够实现可进一步微细化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备：以条纹状形成于第一导电型半导体基板(11)，作为第二导电型杂质的扩散层的多条位线(14)；形成在半导体基板(11)上的多条位线(14)彼此之间的区域的多个栅极绝缘膜(12)；隔着各栅极绝缘膜(12)形成在半导体基板(11)上，沿着与多条位线(14)交叉的方向延伸的多条字线(16)；和形成在半导体基板(11)的多条字线(16)彼此之间的区域，作为第一导电型杂质的扩散层的多个位线分离扩散层(18)。各位线分离扩散层(18)含有抑制杂质扩散的扩散抑制物(18B)。 | ||
| 申请公布号 | CN101499476A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910002581.1 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 高桥信义;松尾一郎 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，具备：以条纹状形成于第一导电型半导体基板，作为第二导电型杂质的扩散层的多条位线；形成在所述半导体基板上的所述多条位线彼此之间的区域的多个栅极绝缘膜；隔着所述各栅极绝缘膜形成在所述半导体基板上，沿着与所述多条位线交叉的方向延伸的多条字线；和形成在所述半导体基板的所述多条字线彼此之间的区域，作为第一导电型杂质的扩散层的多个位线分离扩散层；所述各位线分离扩散层含有抑制杂质扩散的扩散抑制物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||