一种在半导体制程中制备掩膜过程中的OPC方法

摘要

本发明提供了一种光学近似修正(OPC)的方法，使用这种方法可以极大地改善以往进行光学近似修正时容易出现的各种问题。本发明提供的方案，是在现有光学近似修正之前，对版图图案的形状进行修改，以原有版图图案为基础得到其他凸多边型图案，然后以凸多边形图案为目标进行现有光学近似修正。

主权项

1、一种在半导体制程中用于制备掩膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：-将原始掩膜图案数据中的一个或多个原始凸多边形图案数据进行边缘圆滑处理，以获得具有相应的边缘圆滑的凸多边形图案的中间掩膜图案数据；-对所述中间掩膜图案数据进行光学邻近修正，以获得修正掩膜图案数据；-利用所述修正掩膜图案数据制备掩膜。