发明名称 |
绝缘层、电子元件、场效应晶体管和聚乙烯基苯硫酚 |
摘要 |
本发明提供一种绝缘层,该绝缘层能够在用于电子元件时改善元件特性,为此绝缘层中含有包含下式表示的重复单元的高分子绝缘体。式中,R<sup>a</sup>表示直接键合或任意的连接基团,Ar表示具有或不具有取代基的2价芳香族基团,R<sup>b</sup>表示氢原子、氟原子或一价有机基团。 |
申请公布号 |
CN101501080A |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200780028970.0 |
申请日期 |
2007.08.02 |
申请人 |
三菱化学株式会社 |
发明人 |
荒牧晋司;酒井良正 |
分类号 |
C08F12/30(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
C08F12/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁香兰 |
主权项 |
1.一种绝缘层,其特征在于,该绝缘层含有至少包含下式(A)表示的重复单元的高分子绝缘体,<img file="A200780028970C00021.GIF" wi="537" he="370" />式(A)中,R<sup>a</sup>表示直接键合或任意的连接基团,Ar表示具有或不具有取代基的2价芳香族基团,R<sup>b</sup>表示氢原子、氟原子或一价有机基团。 |
地址 |
日本东京 |