发明名称 包括被划片线划分的半导体芯片及形成于划片线上的工艺监测电极焊盘的半导体晶片
摘要 本发明公开了一种半导体晶片,该半导体晶片具有将该半导体晶片划分为多个半导体芯片的矩阵的划片线。该半导体晶片包括多晶硅层、形成于该多晶硅层上的多晶硅-金属层间绝缘膜、以及形成于该多晶硅-金属层间绝缘膜上的第一金属布线层。该半导体晶片包括形成于该划片线的切片区域上的工艺监测电极焊盘。该工艺监测电极焊盘的宽度大于该切片区域的宽度。该工艺监测电极焊盘包括形成于该多晶硅-金属绝缘膜内用于将该第一金属布线层连接到该多晶硅层的接触孔。
申请公布号 CN100524680C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200680003028.4 申请日期 2006.11.22
申请人 株式会社理光 发明人 吉田雅昭;神埜聪
分类号 H01L21/66(2006.01)I;B22D17/20(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王 冉
主权项 1. 一种半导体晶片,具有将所述半导体晶片划分为多个半导体芯片的矩阵的划片线,所述半导体晶片包括多晶硅层、形成于所述多晶硅层上的多晶硅-金属层间绝缘膜、以及形成于所述多晶硅-金属层间绝缘膜上的第一金属布线层,所述半导体晶片的特征在于包括:形成于所述划片线的切片区域上的工艺监测电极焊盘,所述工艺监测电极焊盘的宽度大于所述切片区域的宽度,所述工艺监测电极焊盘包括形成于所述多晶硅-金属层间绝缘膜内用于将所述第一金属布线层连接到所述多晶硅层的接触孔。
地址 日本东京都