| 发明名称 | 非对称浮动栅极与非型快闪存储器 | ||
| 摘要 | 一种与非型(NAND)快闪存储器元件，包含覆盖在各个字线的非对称浮动栅极。透过此一特定浮动栅极与其各自的字线有效耦合，可使用一大的栅极(如字线)偏压将浮动栅极耦合到具有一电压，可将浮动栅极下方的沟道反向。在浮动栅极下方的反向沟道因此可以作为源极/漏极。因此，此存储器元件不需要一浅接面或一辅助栅极。再者，此存储器元件具有相对较低的浮动栅极至浮动栅极(FG-FG)干扰。 | ||
| 申请公布号 | CN100524771C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610093745.2 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;何家骅;吕函庭;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1、一种存储器元件，包含：一衬底；复数个位于该衬底之上且与该衬底绝缘的字线；以及浮动栅极，非对称地覆盖各个字线，其中该浮动栅极也覆盖两个相邻字线之间的区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||