用于从基片除去含硅残留物的方法

摘要

在此公开一种用于从基片顶部和背部的至少一部分和/或沉积装置除去含硅残留物的方法。另一方面，本发明提供了一种用于除去残留物的方法，其包括：用去除溶剂处理涂覆基片和/或沉积装置。

主权项

1、一种用于从涂覆基片的至少一部分和/或沉积装置除去含硅残留物的方法，该方法包括：用去除溶剂处理涂覆基片和/或沉积装置，该溶剂的沸点在120℃—250℃范围内，并且具有2.5厘泊或更低的粘度；其中该去除溶剂为选自以下化合物中的至少一种：a)具有式R14COR15CO2R16的化合物，其中R14和R15各自独立地是含1—6个碳原子的烃基，R16是含1—4个碳原子的烃基；和b)具有式R173CCO2-R18的化合物，其中R17独立地是H原子、含1—4个碳原子的烷氧基或含1—4个碳原子的烃基，并且R18是含1—8个碳原子的烃基、烷基醚基-(CH2)n-O-R19，其中R19是含1—4个碳原子的烷基，n是1—4的数字，或烷撑二醇烷基醚，其中烷撑二醇含2—4个碳原子，且烷基含1—5个碳原子。