| 发明名称 | 用于制作具有高k栅介电层和金属栅电极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成介电层、在介电层内形成沟槽、和在沟槽内形成高k栅介电层。在高k栅介电层上形成第一金属层之后，在该第一金属层上形成第二金属层。利用抛光步骤从该介电层上除去第二金属层的至少一部分，并且利用刻蚀步骤从该介电层上除去另外的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100524660C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200580029665.4 | 申请日期 | 2005.06.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·布拉斯克;C·巴恩斯;M·多茨;U·夏;J·卡瓦利罗斯;M·梅茨;S·达塔;A·米勒;R·曹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁 永 |
| 主权项 | 1. 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成介电层；在介电层内形成沟槽；在沟槽内形成高k栅介电层；在高k栅介电层上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；利用化学机械抛光步骤从该介电层上除去第二金属层的至少一部分；以及利用等离子体干法刻蚀步骤从该介电层上除去高k栅介电层和第一金属层的至少一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||