与非门型多位电荷储存存储器阵列及其操作和制造方法

摘要

一种与非门(NAND)型多位电荷储存存储器阵列包括，第一和第二存储器串，每一串包括一个或多个电荷储存存储器单元和两个选择晶体管。该电荷储存存储器单元以串联的方式连接，以形成存储器单元串。该两个选择晶体管以串联的方式分别连接至该存储器单元串的两端。该NAND型多位电荷储存存储器阵列进一步包括，共用位线和第一和第二位线。该共用位线连接至该第一和该第二存储器串的第一端。该第一和该第二位线分别连接至该第一和该第二存储器串的第二端。每一存储器串的该第一选择晶体管和该第二选择晶体管，分别由第一和第二选择晶体管控制线所控制。

主权项

1. 一种存储器阵列，其包括：第一存储器串和第二存储器串，每一该第一存储器串和该第二存储器串包括，一个或多个存储器单元，以串联的方式被连接以形成存储器单元串，其中每一该存储器单元具有两个储存区域；第一选择晶体管，以串联的方式被连接至该存储器单元串的第一端；第二选择晶体管，以串联的方式被连接至该存储器单元串的第二端；共用位线，经由第一接触点连接至每一该第一存储器串和该第二存储器串的该第一端，在该共用位线上施加操作电压，可以同时操作两个相邻存储器串的两个相邻的位；以及第一位线，经由第二接触点连接至该第一存储器串的该第二端；以及第二位线，经由第三接触点连接至该第二存储器串的该第二端；其中，每一该第一存储器串和该第二存储器串的该第一选择晶体管由第一选择晶体管控制线控制，而且每一该第一存储器串和该第二存储器串的该第二选择晶体管由第二选择晶体管控制线控制。