用于集成电路芯片的多级互连

摘要

用于集成电路芯片(30)的多级金属化布局，该集成电路芯片(30)包括金属化布局连接到的具有第一(31)、第二(32)和第三(33)元件的晶体管。该布局通过相对于芯片(30)垂直地设置第二接触的连接(39)、将金属化布局的平面和指状体重叠到第一和第二元件(31)和(32)、以及形成金字塔形或阶梯形的多级金属化层(45)和(46)以便使斜向电流平稳，可以将包括电迁移的电流限制机制最小化。

主权项

1. 一种集成电路芯片，具有晶体管和互连金属化以将包括电迁移的电流限制机制最小化，该集成电路芯片包括：多个晶体管，每个晶体管都具有用于形成接触的第一、第二和第三元件；互连金属导线，具有多级过孔金属以及用于将所述晶体管的所述第一、第二和第三元件连接到不同级的所述金属导线的宽度尺度，且被标记为第一级金属(M1)、第二级金属(M2)以提供对所述晶体管的连接，所述互连导线包括设置在芯片中心和边缘处的金属指状体和金属平面。