| 发明名称 | 氮化物半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN101499618A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910007988.3 | 申请日期 | 2007.03.06 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 神川刚;川口佳伸 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1. 一种制备氮化物半导体发光器件的方法，所述氮化物半导体发光器件包含在发光部分形成的涂膜，所述方法包括如下步骤：通过溅射法或电子束蒸发法，在所述发光部分形成氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的所述涂膜。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号545-8522 | ||