| 发明名称 | 三维阵列半导体存储设备及其修复方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维阵列半导体存储设备及其修复方法。一种非易失性存储设备包括三维(3D)单元阵列、列选择电路和熔丝块。该3D单元阵列包括位于相应堆叠衬底层中的多个单元阵列，所述单元阵列共享位线。列选择电路选择包括在3D单元阵列中的存储单位。熔丝块控制列选择电路利用位于3D单元阵列中的多个冗余位线之一来修复有缺陷的列。 | ||
| 申请公布号 | CN101499320A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200910003208.8 | 申请日期 | 2009.01.15 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金杜坤;朴起台 |
| 分类号 | G11C17/14(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 钱大勇 |
| 主权项 | 1. 一种非易失性存储设备，包括：三维3D单元阵列，包括位于相应多个堆叠衬底层中的多个单元阵列，所述单元阵列共享位线；列选择电路，选择包括在该3D单元阵列中的存储单位；以及熔丝块，控制该列选择电路利用位于3D单元阵列中的多个冗余位线中的一个来修复多个有缺陷的列。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||