发明名称 结晶膜的制造方法、结晶膜附着基体的制造方法、热电转换元件的制造方法
摘要 在热电转换元件等功能元件中,有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中,通过水蒸气的作用,使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含:在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长,使得所述层状结构与所述基体相接的工序;在腔室内,使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序;和通过分离所述层状结构和所述基体,得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
申请公布号 CN100523285C 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200480011313.1 申请日期 2004.11.16
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 四桥聪史;足立秀明;杉田康成;菅野勉
分类号 C23C14/58(2006.01)I;C23C16/01(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/58(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1. 一种结晶膜的制造方法,其特征在于,包括:在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长,使得所述层状结构与所述基体相接的工序;在腔室内,使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序;和通过分离已与水蒸气接触的所述层状结构和所述基体,得到所述结晶膜的工序,其中,所述层状结构包含:含有碱金属的层,和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
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