磁阻效应元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种可实现更大MR变化率的磁阻效应元件，该磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁阻效应膜；以及用于使电流在上述磁阻效应膜的膜面上垂直流通的一对电极，该磁阻效应膜，含有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层；磁化方向对应于外部磁场而变化的磁化自由层；设置在上述磁化固定层和上述磁化自由层之间的中间层；设置在上述磁化固定层或上述磁化自由层上面的盖层；以及设于上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层和上述磁化自由层的界面、上述中间层和上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或磁化自由层与上述盖层的界面的任何一个、并由含有氧或氮的材料形成的功能层，上述功能层的结晶取向面与其上或其下邻接的层的结晶取向面不同。

主权项

1. 一种磁阻效应元件，其特征在于，具有：磁阻效应膜；以及用于使电流在上述磁阻效应膜的膜面上垂直流通的一对电极，该磁阻效应膜含有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层；磁化方向对应于外部磁场而变化的磁化自由层；设置在上述磁化固定层和上述磁化自由层之间的中间层；设置在上述磁化固定层或上述磁化自由层上面的盖层；以及设于上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层和上述中间层的界面、上述中间层和上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或磁化自由层与上述盖层的界面的任何一个、并由含有氧或氮的材料形成的功能层，上述功能层的结晶取向面与其上或其下邻接的层的结晶取向面不同。