| 发明名称 | 一种用于制备单层多晶硅栅非挥发性存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进单层多晶硅栅非挥发性(Nonvolatile)存储器性能的方法。该方法通过改变SAB(Salicide-Block硅化阻挡)层的材料来有效减少正可动离子进入单层多晶硅栅非挥发性存储器单元的浮栅中，从而提高存储单元的电荷存储性能(Charge Retention)。 | ||
| 申请公布号 | CN101499405A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200810033364.4 | 申请日期 | 2008.01.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 金起凖;崔崟;郭兵;梅奎;程超 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 罗 朋 |
| 主权项 | 1. 一种用于制备单层多晶硅栅非挥发性存储器的方法，其特征在于，用包括单层或多层经低压化学气相淀积正硅酸乙酯生成的膜层作为硅化阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||