发明名称 超声波除水垢装置
摘要 超声波除水垢装置,涉及到一种超声波除水垢技术。它解决了现有超声波除水垢装置工作稳定性差及除水垢效果不好的问题。它的每个单元中的整流电路采用半波整流电路,第四可控硅的正极连接供电电源,第十磁滞伸缩换能器的控制线圈的两端分别连接第四可控硅的负极和第五可控硅的正极,第八电容并联在第十磁滞伸缩换能器的控制线圈的中间抽头和电源地之间;第四可控硅的控制极和第四可控硅的负极分别是第四信号控制输入端和第五控制信号输入端,第五可控硅的控制极和第五可控硅的负极分别是第十二信号控制输入端和第十三控制信号输入端;所述四个控制信号输入端分别连接控制信号发生电路四个信号输出端。它适用于清除热转换设备表面、管道的水垢。
申请公布号 CN201283350Y 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200820128804.X 申请日期 2008.11.13
申请人 亚力山大·安德列·瓦列吉诺维奇 发明人 亚力山大·安德列·瓦列吉诺维奇
分类号 B08B3/12(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I;B08B9/02(2006.01)I;F28G7/00(2006.01)I 主分类号 B08B3/12(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 王吉东
主权项 1、超声波除水垢装置,其特征在于它包括两个单元,所述两个单元的结构相同;每个单元由整流电路(100)、可控硅驱动电路(200)和控制信号发生电路(300)组成,其中整流电路(100)是半波整流电路,所述整流电路(100)的输出端为可控硅驱动电路(200)的供电电源输入端,可控硅驱动电路(200)包括第四可控硅(D4)、第五可控硅(D5)、第八电容(C8)和第十磁滞伸缩换能器(L10),第四可控硅(D4)的正极与可控硅驱动电路(200)的供电电源输入端连接,所述第四可控硅(D4)的负极与第十磁滞伸缩换能器(L10)的控制线圈的一端连接,所述第十磁滞伸缩换能器(L10)的控制线圈的另一端与第五可控硅(D5)的正极连接,所述第五可控硅(D5)的负极与供电电源地连接;第八电容(C8)并联在第十磁滞伸缩换能器(L10)的控制线圈的中间抽头和供电电源地之间;第四可控硅(D4)的控制极和第四可控硅(D4)的负极分别是第四控制信号输入端(K4)和第五控制信号输入端(K5),第五可控硅(D5)的控制极和第五可控硅(D5)的负极分别是第十二控制信号输入端(K12)和第十三控制信号输入端(K13);控制信号发生电路(300)中带有有源频率信号发生电路,所述控制信号发生电路(300)的超声波控制信号输出端分别连接可控硅驱动电路(200)的第四控制信号输入端(K4)、第五控制信号输入端(K5)、第十二控制信号输入端(K12)和第十三控制信号输入端(K13)。
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