半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：第一工序，在半导体衬底上形成抑制杂质注入引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；第二工序，通过从缺陷抑制膜上注入杂质而在半导体衬底表面形成元件活性区域；第三工序，除去缺陷抑制膜；第四工序，将抑制元件活性区域的界面准位上升的界面准位抑制膜形成于元件活性区域上。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，包括：第一工序，所述第一工序在半导体衬底上形成抑制因杂质的注入而引起的缺陷增加的缺陷抑制膜；第二工序，所述第二工序通过从所述缺陷抑制膜上注入所述杂质而在所述半导体衬底表面形成元件活性区域；第三工序，所述第三工序除去所述缺陷抑制膜；以及第四工序，所述第四工序在所述元件活性区域上形成抑制所述元件活性区域的界面准位上升的界面准位抑制膜，所述缺陷抑制膜与所述界面准位抑制膜相比能够抑制所述缺陷的增加，所述界面准位抑制膜与所述缺陷抑制膜相比能够抑制所述界面准位的上升。