发明名称 设置有功率放大器的高频模块
摘要 本发明涉及设置有功率放大器的高频模块。提供了一种高频模块,该高频模块包括:多层化基板,安装在多层化基板的上表面上的功率放大器IC,设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下方的第一和第二滤波器,以及设置在第一滤波器与第二滤波器之间的耦合缩减用地通路。至少第一滤波器设置在功率放大器IC的大致正下方。耦合缩减用地通路兼用作用于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。
申请公布号 CN101499785A 申请公布日期 2009.08.05
申请号 CN200910002813.3 申请日期 2009.01.24
申请人 TDK株式会社 发明人 五井智之;安达拓也;味冈厚;八贺仁
分类号 H03H9/70(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I 主分类号 H03H9/70(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李 辉
主权项 1、一种高频模块,该高频模块包括:多层化基板;功率放大器IC,该功率放大器IC安装在所述多层化基板的上表面上;第一滤波器和第二滤波器,该第一滤波器和该第二滤波器设置在所述多层化基板的内层中、在所述功率放大器IC的大致正下方;以及耦合缩减用地通路,该耦合缩减用地通路设置在所述第一滤波器与所述第二滤波器之间;其中,至少所述第一滤波器设置在所述功率放大器IC的大致正下方,并且所述耦合缩减用地通路兼用作用于散逸所述功率放大器IC生成的热的热通路。
地址 日本东京