发明名称 |
设置有功率放大器的高频模块 |
摘要 |
本发明涉及设置有功率放大器的高频模块。提供了一种高频模块,该高频模块包括:多层化基板,安装在多层化基板的上表面上的功率放大器IC,设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下方的第一和第二滤波器,以及设置在第一滤波器与第二滤波器之间的耦合缩减用地通路。至少第一滤波器设置在功率放大器IC的大致正下方。耦合缩减用地通路兼用作用于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。 |
申请公布号 |
CN101499785A |
申请公布日期 |
2009.08.05 |
申请号 |
CN200910002813.3 |
申请日期 |
2009.01.24 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
五井智之;安达拓也;味冈厚;八贺仁 |
分类号 |
H03H9/70(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/70(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李 辉 |
主权项 |
1、一种高频模块,该高频模块包括:多层化基板;功率放大器IC,该功率放大器IC安装在所述多层化基板的上表面上;第一滤波器和第二滤波器,该第一滤波器和该第二滤波器设置在所述多层化基板的内层中、在所述功率放大器IC的大致正下方;以及耦合缩减用地通路,该耦合缩减用地通路设置在所述第一滤波器与所述第二滤波器之间;其中,至少所述第一滤波器设置在所述功率放大器IC的大致正下方,并且所述耦合缩减用地通路兼用作用于散逸所述功率放大器IC生成的热的热通路。 |
地址 |
日本东京 |